vr
خانه /محصولات/آرایه ESD/SE03N6S01GZ آرایه ESD ظرفیت پایین ESD محافظت ولتاژ عملیاتی 3.3V IR حداکثر 0.5μA

SE03N6S01GZ آرایه ESD ظرفیت پایین ESD محافظت ولتاژ عملیاتی 3.3V IR حداکثر 0.5μA

10000 عدد
MOQ
negotiable
قیمت
SE03N6S01GZ آرایه ESD ظرفیت پایین ESD محافظت ولتاژ عملیاتی 3.3V IR حداکثر 0.5μA
امکانات گالری توضیحات محصول درخواست نقل قول
امکانات
مشخصات
نام قطعه: آرایه های ESD
بسته کامپوننت: DFN1006-2L
Vrwm (حداکثر): 3.3 ولت
Vbr (حداقل): 5.0 ولت
Vbr (حداقل): 5.0 ولت
آی تی: 1 میلی آمپر
Ir (حداکثر): 0.5μA
Vc (نوع) (Ipp=1A): 6.0 ولت
Vc (نوع) (Ipp=5A): 10.0 ولت
Cesd: 12 pF
برجسته کردن:

SE03N6S01GZ آرایه ESD,3.3V ESD آرایه,آرایه ESD با ظرفیت پایین

,

3.3V ESD Array

,

Low Capacitance ESD Array
اطلاعات اولیه
محل منبع: شنژن گوانگدونگ چین
نام تجاری: SOCAY
گواهی: REACH RoHS ISO
شماره مدل: SE03N6S01GZ
سند: بروشور محصول PDF
پرداخت
زمان تحویل: 5 تا 8 روز کاری
توضیحات محصول

آرایه های ESD با ظرفیت پایین برای حفاظت از ESD SE03N6L01GZ ولتاژ کار 3.3V

 
 
ویژگی های آرایه های ESD:

  • ولتاژ کار: 3.3V
  • نشت کم: سطح nA
  • ظرفیت کم
  • ولتاژ بسیار پایین
  • تطابق با RoHS

 

برنامه های کاربردی آرایه های ESD:

  • تلفن همراه و لوازم جانبی
  • رابط بصری دیجیتال (DVI)
  • مدارهای RF
  • پورت نمایش داده شده
  • پورت های USB
  • پورت های MDDI
  • PCI اکسپرس

 

ویژگی های مکانیکی آرایه های ESD:

  • بسته DFN1006 (1.0x0.6x0.5mm)
  • وزن 0.5 میلی گرم (تقریباً)
  • مقدار در هر ريل: 10000 تا
  • اندازه ريل: 7 اينچ
  • سرنگون: سرنگون

 

نمودار عملکردی آرایه های ESD:

SE03N6S01GZ آرایه ESD ظرفیت پایین ESD محافظت ولتاژ عملیاتی 3.3V IR حداکثر 0.5μA 0

 

 

آرایه های ESD حداکثر امتیاز مطلق (T)A=25°C مگر اینکه مشخص شود):

 
نماد پارامتر ارزش واحدها
TL دمای جوش سرب 260 (10 ثانیه) oC
TOP محدوده دمای عملیاتی -55 تا +125 °C
TSTG محدوده دمای ذخیره سازی -55 تا +150 °C
VESD ESD بر اساس IEC61000-4-2 (هوا) ±25 kV
  ESD بر اساس IEC61000-4-2 (رابط) ±25  

 

 

 

ویژگی های الکتریکی (TA=25°C مگر اینکه مشخص شود):

پارامتر نماد شرایط دقیقه ای -آره. مکس واحدها
ولتاژ کار برعکس VRWM ... ... ... 3.3 V
ولتاژ قطع VBR IT = 1mA 3.5 5.1 5.0 V
جریان نشت IR VRWM = 3.3V ... ... 0.5 μA
ولتاژ قفل VC IPP = 1A، tP = 8/20μs ... 6.0 ... V
ولتاژ قفل VC IPP = 5A، tP = 8/20μs ... 10.0 ... V
ظرفیت گره CJ VR = 0V، f = 1MHz ... 0.5 ... pF

 

 

DFN1006-2L طرح و ابعاد بسته:

نماد میلی متر اینچ
  دقیقه ای مکس دقیقه ای مکس
A 0.450 0.550 0.018 0.022
A1 0.010 0.070 0.000 0.003
D 0.950 1.050 0.037 0.041
E 0.550 0.650 0.022 0.026
D1 0.450 REF 0.018 REF
E1 0.400 REF 0.016 REF
ب 0.275 0.325 0.011 0.013
e 0.675 0.725 0.027 0.029
L 0.275 0.325 0.011 0.013
L1 0.010 REF 0.000 REF

 

SE03N6S01GZ آرایه ESD ظرفیت پایین ESD محافظت ولتاژ عملیاتی 3.3V IR حداکثر 0.5μA 1

 

برچسب:

دیود حفاظت از ESD,حفاظت از ESD,دیود TVS برای حفاظت از ESD

SE03N6S01GZ آرایه ESD,3.3V ESD آرایه,آرایه ESD با ظرفیت پایین

TVS Diode For ESD Protection

محصولات توصیه شده
با ما در تماس باشید
تماس با شخص : Sun
تلفن : +8618126201429
فکس : 86-755-88362681
حرف باقی مانده است(20/3000)
در تماس باشید
4/F، بلوک C، پارک علمی و فناوری HeHengXing، خیابان 19 MinQing، منطقه LongHua، شهر شنژن، استان گوانگ دونگ، چین
sylvia@socay.com
+8618126201429
در باره
نمایه شرکت کارخانه تور کنترل کیفیت تماس با ما
محصولات
دیودهای TVSدیود زنرلوله تخلیه گاز همه دسته بندی ها
برای ما ایمیل کنید
نیاز خود را با ما در میان بگذارید. ما بهترین محصولات را با شما متصل خواهیم کرد.
نقشه سایت │ سایت موبایل │ سیاست حفظ حریم خصوصی
چین خوب کیفیت دیودهای TVS تامین کننده. © 2023 - 2025 socaydiode.com. All Rights Reserved.